高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉，其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为：电炉中心的通电发热体，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形状与尺寸安装在炉料中心，一般为圆形或矩形。
其两端与电极相连）等组成。
该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成。
它一通电即为加热开始，炉心体温度约2500℃，甚至更高（2600～2700℃），炉料达到1450℃时开始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃时形成），且放出CO。
然而，≥2600℃时SiC会分解，但分解出的Si又会与炉料中的C生成SiC。
每组电炉配备一组变压器，但生产时只对单一电炉供电，台湾纳米碳化硅，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率，纳米碳化硅厂家，大功率电炉要加热约24 h，纳米碳化硅微粉，停电后生成SiC的反应基本结束，再经过一段时间的冷却就可以拆除侧墙，纳米碳化硅价格，然后逐步取出炉料。
结晶体较小、很脆弱，不能作为磨料）、一级品SiC（(SiC含量<96%，而且是六方SiC即口一SiC的粗大结晶体）、炉芯体石墨。
在上述各层料中，通常将未反应料和一部分氧碳化硅层料作为乏料收集，将氧碳化硅层的另一部分料与无定形物、二级品、部分粘结物一起收集为回炉料，而一些粘结很紧、块度大、杂质多的粘结物则抛弃之。
而一级品则经过分级、粗碎、细碎、化学处理、干燥与筛分、磁选后就成为各种粒度的黑色或绿色的SiC颗粒。
要制成碳化硅微粉还要经过水选过程；要做成碳化硅制品还要经过成型与结烧的过程。
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